IDH10G65C5XKSA2
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Anschlüsse, Verbindungen
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Infineon Technologies IDH10G65C5XKSA2
| Artikelnummer: | IDH10G65C5XKSA2 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
| Teil der Beschreibung.: | DIODE SIL CARB 650V 10A TO220-1 |
| Datenblätte: |
|
| RoHs Status: | ROHS3 -konform |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
| Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
| Aktie: |
Ship From: Hong Kong
| Anzahl | Einzelpreis |
|---|---|
| 1+ | $4.90 |
| 10+ | $4.401 |
| 100+ | $3.6057 |
| 500+ | $3.0694 |
| 1000+ | $2.6928 |
»
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- Versandinformationen
- Verpackung
-
Infineon Technologies IDH10G65C5XKSA2 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments IDH10G65C5XKSA2.Produkteigenschaften Eigenschaften Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If 1.7 V @ 10 A Spannung - Sperr (Vr) (max) 650 V Technologie SiC (Silicon Carbide) Schottky Supplier Device-Gehäuse PG-TO220-2-1 Geschwindigkeit No Recovery Time > 500mA (Io) Serie CoolSiC™+ Rückwärts-Erholzeit (Trr) 0 ns Verpackung / Gehäuse TO-220-2 Produkteigenschaften Eigenschaften Paket Tube Betriebstemperatur - Anschluss -55°C ~ 175°C Befestigungsart Through Hole Strom - Sperrleckstrom @ Vr 180 µA @ 650 V Strom - Richt (Io) 10A Kapazität @ Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz Grundproduktnummer IDH10G65 IDH10G65C5XKSA2 Einzelheiten PDF [English] IDH10G65C5XKSA2 PDF - EN.pdf -
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